本文转自【河北后生报网】；

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诺德股份半导体封装用极薄载体铜箔NE-UTF-ICP抓续深耕本事迭代与工艺升级，积极协同卑劣封装基板厂商开展鸠合适配优化，助力国产高端封装材料革命破碎与产业升级。

AI大模子对算力芯片I/O密度的条款抓续攀升，FCBGA封装基板及Chiplet互联工艺正向超细巧澄澈迈进。传统极薄铜箔（2–5μm）受限于机械强度，在mSAP/SAP半加成法制程中极易出现褶皱、断线或层压翘曲，成为制约高端封装载板良率的关键瓶颈。

依托三十余年铜箔研发与制造本事积淀，诺德股份前瞻布局先进封装基材，于2025年10月份“AI电子铜箔新品发布会”上精采推出半导体封装用极薄载体铜箔NE-UTF-ICP (Nuode Ultra-Thin Foil for IC Package)。居品自觉布以来抓续深耕本事迭代与工艺升级，积极协同卑劣封装基板厂商开展鸠合适配优化，助力国产高端封装材料革命破碎与产业升级。

01、高端封装基材 载体铜箔特征与上风

载体铜箔（带载体可剥离极薄铜箔），是适配mSAP/SAP半加成法的高端基材，主要讹诈于IC载板、高速光模块精密电路布线场景，是超细精密澄澈制备场景下的优质铜箔材料决策。

诺德股份载体铜箔居品主打1.5–3μm超轻浮灵验铜层，罗致褂讪性优异的“相沿铜箔+分手层+极薄铜箔”复合结构，竣事工艺适配性与居品褂讪性的双向优化。一方面依托相沿铜箔提供刚性相沿，改善超薄铜箔易变形、易浮松的行业共性问题；另一方面通过精确调控分手层，均衡基材结协力度与剥离浮浅性，工艺完成后可竣事洁净无残留剥离。

同期，居品兼具极低玄虚铜面特点，能灵验疲塌高频信号趋肤效应，镌汰高频传输插损，适配高端芯片高频高速的信号传输条款。

02、深耕工艺研发 针对性攻克行业痛点

极薄载体铜箔的制备，中枢难点在于分手层均匀性收尾与极薄铜层晶粒细巧化调控，亦然国际企业遥远左右的中枢本事壁垒。诺德股份依托数十年研发积淀与铜箔量产训戒，抓续优化中枢制备工艺，针对性破解行业痛点。

在分手层本事上，通过优化纳米级氧化物/有机复合分手层配方，灵验改善行业剥离不均、残留、掉铜等痛点，保险铜层与载体剥离过程安祥、洁净，助力提高后续精密澄澈制作的工艺褂讪性。

在铜层工艺上，罗致晶面特定导向本事与低应力电解千里积工艺，精确调控极薄铜层再结晶步履与织构组分，使超薄铜层在高速压合、曝光、显影全经由保抓平整无褶皱，剥离后可保留甚低玄虚光洁铜面，现时居品名义粗俗度可褂讪收尾至Rz＜0.81μm，兼顾细密的延长率与抗张强度。

此外，公司竣事中枢制备添加剂自主可控，搭配在线AI视觉检测、MES全经由回想系统，从原猜测量产全程严控品性，稳步对标高端精密电子基材的品性轨范。

现在公司已完成居品中枢本事研发与中试责任，正面向头部封装基板厂及卑劣要点客户开展送样考据。

03、多场景讹诈 聚焦AI算力中枢赛谈

公司极薄载体铜箔居品开导地点聚焦高端封装、高速通讯、精密电子等多个高价值场景，贴合先进电子材料产业细巧化、高端化发展趋势。

IC封装BT/ABF载板：适配AI算力GPU、CPU、HBM显存、DRAM/NAND存储芯片、手机射频芯片等高端器件的封装基板；

高速光模块：800G规模讹诈、1.6T/3.2T/6.4T超高速光模块标配，AI数据中心交换机中枢基材；

精密PCB与电子建造：旗舰手机SLP板、折叠屏建造、高端干事器主板、5G/毫米波雷达高频板；可穿着建造、高端测试仪器等袖珍化精密澄澈板场景，消亡多规模高端精密电子需求。

04材料革命 赋能先进封装产业发展

“跟着BT载板、1.6T及以上的光模块放量+mSAP工艺浸透率提高，载体铜箔需求端有望快速增长。”（开首：天风证券）

诺德股份NE-UTF-ICP载体铜箔历经多轮本事迭代，抓续提高产能性能一致性与褂讪性，有望优化超细巧澄澈制备工艺，进一步丰富国内高端封装铜箔材料居品矩阵，助力先进封装材料产业革命升级。

翌日，诺德股份将抓续深耕电子电路铜箔规模，稳步鼓励载体铜箔居品的客户送样考据与量产准备，抓续打磨高品性电子基材搞定决策，赋能AI算力基础依次、先进封装产业高质地发展。

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